دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB
  • دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB
  • دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB
  • دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB
  • دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB

دیود لیزر پروانه ای 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز DFB

دیود لیزری پروانه ای DFB 1030 نانومتری 200 میلی وات 100 کیلوهرتز، دیود لیزری بسته پروانه ای DFB با پهنای خط باریک و توان بالا است که به طور گسترده به عنوان منبع اولیه برای لیزرهای فیبر یا برای اندازه گیری های طیفی دقیق استفاده می شود.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

1-خلاصه:

دیود لیزر پروانه‌ای DFB 1030 نانومتری 200 میلی‌وات و 100 کیلوهرتز، دیود لیزری پکیج پروانه‌ای DFB با پهنای خط باریک و توان بالا است که به‌طور گسترده به‌عنوان منبع اولیه برای لیزرهای فیبر یا برای اندازه‌گیری‌های طیفی دقیق استفاده می‌شود.


2. ویژگی ها:

• 200mW قدرت خروجی بالا.

• پهنای خط باریک زیر 100 کیلوهرتز.

• فیبر PM فراتر از 18 دسی بل بالا PER؛

• بسته پروانه 14 پین؛

• پمپ حرارتی ترموالکتریک داخلی و فوتودیود مانیتور؛

• قابلیت اطمینان بالای میدانی.

قابلیت اطمینان:Telcordia GR-468. RoHS


3. برنامه های کاربردی:

• منبع بذر برای لیزر؛

• طیف‌سنجی؛

• حسگر نوری.


4. حداکثر مطلق رتبه بندی

پارامتر نماد حداقل حداکثر واحد
جریان معکوس LD IR - 2 V
LD جریان رو به جلو اگر - 500 mA
MPD ولتاژ معکوس VMPD - 20 V
ولتاژ کولر ترموالکتریک VTEC - 4.8 V
جریان کولر ترموالکتریک ITEC - 2.5 A
دمای کیس عملیاتی TC -45 70 ℃
دمای ذخیره سازی TSTG -40 85 ℃
رطوبت ذخیره سازی - 5 85 %RH
تخلیه الکترواستاتیک (ESD) VESD - 500 V
دمای لحیم کاری سرب STEMP - 260 ℃
زمان لحیم کاری سرب STIME 10 ثانیه


5.  ویژگی های الکترواپتیکال (دمای لیزر 25 درجه):

پارامتر نماد وضعیت حداقل تایپ کنید حداکثر واحد
طول موج مرکز λc TL = 15 × 35 ℃ CW 1028 1030 1032 نانومتر
توان خروجی نوری PO TL=25℃ - 200 - میلی وات
جریان آستانه ITH TL=25℃ - 45 70 mA
ولتاژ کاری VOP POP= 200mW (CW) - - 2.5 V
جریان عملیاتی آیوپ POP= 200mW (CW) - 300 500 mA
عرض خط Δλ - - 30 100 کیلوهرتز
نسبت سرکوب حالت جانبی SMSR - - 40 - دسی بل
نسبت خاموشی قطبش ER - 18 - - دسی بل
دما ضریب طول موج Δλ/ΔT - - 0.08 - نانومتر/℃
پاسخگویی MPD IMON/POP ولتاژ بایاس @-5V 1 - 30 μA/mW
مقاومت ترمیستور RTH - 9.5 10 10.5 KΩ


6. مشخصات فیبر نوری:

پارامترها توضیحات
نوع فیبر PM980
نوع پیگتیل لوله شل 900 میکرومتر
طول دم خوک 0.1±1.2 متر
نوع رابط FC/APC


7.  تعریف بسته و تعریف PIN-OUT (واحد: میلی‌متر):

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

نوع 2

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
پین توضیحات پین توضیحات
1 TEC(+) 14 TEC(-)
2 ترمیستور 13 زمین مورد
3 آند مانیتور PD (-) 12 NC
4 کاتد مانیتور PD (+) 11 کاتد لیزر (-)
5 ترمیستور 10 آند لیزری (+)
6 NC 9 NC
7 NC 8 NC
تگ های داغ: 1030nm 200mW 100KHz DFB پروانه دیود لیزری، تولید کنندگان، تامین کنندگان، عمده فروشی، کارخانه، سفارشی، فله، چین، ساخت چین، ارزان، قیمت پایین، کیفیت

دسته بندی مرتبط

ارسال استعلام

لطفاً درخواست خود را در فرم زیر ارائه دهید. ما ظرف 24 ساعت به شما پاسخ خواهیم داد.
X
ما از کوکی ها استفاده می کنیم تا تجربه مرور بهتری به شما ارائه دهیم، ترافیک سایت را تجزیه و تحلیل کنیم و محتوا را شخصی سازی کنیم. با استفاده از این سایت، شما با استفاده ما از کوکی ها موافقت می کنید. سیاست حفظ حریم خصوصی
رد کردن قبول کنید