500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs
  • 500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs
  • 500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs
  • 500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs
  • 500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs

500m TO CAN InGaAs بهمن فوتودیود APDs

500um TO CAN InGaAs photodiodes alanche APDs بزرگترین InGaAs APD تجاری موجود با پاسخگویی بالا و زمان خیز و سقوط بسیار سریع در طول موج 1100 تا 1650 نانومتر است، حداکثر پاسخگویی در 1550 نانومتر برای کاربردهای فضایی بسیار مناسب است. ارتباطات، OTDR و توموگرافی منسجم نوری. این تراشه در بسته بندی TO اصلاح شده به صورت هرمتیک مهر و موم شده است، گزینه pigtailed نیز موجود است.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

1. خلاصه ای از 500um TO CAN InGaAs فوتودیودهای بهمن APD

500um TO CAN InGaAs photodiodes alanche APDs بزرگترین InGaAs APD تجاری موجود با پاسخگویی بالا و زمان خیز و سقوط بسیار سریع در طول موج 1100 تا 1650 نانومتر است، حداکثر پاسخگویی در 1550 نانومتر برای کاربردهای فضایی بسیار مناسب است. ارتباطات، OTDR و توموگرافی انسجام نوری.
این تراشه در بسته بندی TO اصلاح شده مهر و موم شده است، گزینه pigtailed نیز موجود است.

2. معرفی 500um TO CAN InGaAs فتودیودهای بهمنی APD

500um TO CAN InGaAs photodiodes alanche APDs بزرگترین InGaAs APD تجاری موجود با پاسخگویی بالا و زمان خیز و سقوط بسیار سریع در طول موج 1100 تا 1650 نانومتر است، حداکثر پاسخگویی در 1550 نانومتر برای کاربردهای فضایی بسیار مناسب است. ارتباطات، OTDR و توموگرافی انسجام نوری.
این تراشه در بسته بندی TO اصلاح شده مهر و موم شده است، گزینه pigtailed نیز موجود است.

3. ویژگی های 500um TO CAN InGaAs Photodiodes APDs بهمن

تشخیص محدوده 1100nm-1650nm.

طیف گسترده ای پویا؛

مسئولیت بالا؛

جریان تاریک کم؛

بسته استاندارد TO-46.

4. استفاده از 500um TO CAN InGaAs فوتودیودهای بهمنی APD

سنسور نوری؛

ارتباطات نوری فضای آزاد

5. حداکثر مطلق رتبه بندی 500um TO CAN InGaAs فوتودیودهای APD بهمن

پارامتر سمبل وضعیت حداقل حداکثر واحد
PD ولتاژ معکوس VR CW - VBR V
جریان رو به جلو اگر CW - 10 mA
جریان معکوس IR CW - 10 mA
دمای عملیاتی بالا دمای مورد -40 +85
دمای ذخیره سازی TSTG دمای محیط -40 +85
دمای لحیم کاری سرب/زمان Ts - - 260/10 /S

5. ویژگی های الکترواپتیکی (T=25) از 500m TO CAN InGaAs photodiodes APDs بهمن

پارامتر سمبل وضعیت حداقل تایپ کنید حداکثر واحد
محدوده طول موج λ   1100 - 1650 نانومتر
منطقه ی فعال φ - - 500 - ام
مسئوليت Re M=1، λ=1550 نانومتر 0.80 - - A/W
ضریب ضرب M VR=VBR-4، λ=1550nm،Ïe=1uW 10 - - -
جریان تاریک شناسه VR=VBR-4، Ïe=0 - 60 200 nA
ولتاژ شکست معکوس VBR ID=10μA، Ïe=0 40 - 55 V
پهنای باند BW نقطه -3dB، M=10، RL=50Ω - 2.5 - گیگاهرتز
ظرفیت C M=10، Ïe=0، f=1MHz - 8 - pF

6. ترسیم بسته و تعریف PIN-OUT (واحد: میلی متر) 500 میلی متر TO CAN InGaAs Photodiodes APDs بهمن

7. تحویل، ارسال و ارائه 500 میلی متر TO CAN InGaAs Photodiodes APDs

همه محصولات قبل از ارسال آزمایش شده اند.

همه محصولات دارای 1-3 سال گارانتی هستند.

ما از کسب و کار شما قدردانی می کنیم و یک خط مشی بازگشت فوری 7 روزه ارائه می دهیم. (7 روز پس از دریافت اقلام)؛

اگر اقلامی که از فروشگاه ما خریداری می کنید کیفیت کاملی ندارند، یعنی به صورت الکترونیکی مطابق با مشخصات سازنده کار نمی کنند، به سادگی آنها را برای تعویض یا بازپرداخت به ما بازگردانید.

اگر اقلام معیوب هستند، لطفا ظرف 3 روز پس از تحویل به ما اطلاع دهید.

هر کالایی باید در شرایط اولیه خود بازگردانده شود تا واجد شرایط بازپرداخت یا جایگزینی باشد.

مسئولیت کلیه هزینه های حمل و نقل به عهده خریدار می باشد.

8. سوالات متداول

س: چه منطقه فعالی را دوست دارید؟

A: ما فوتودیودهای بهمن منطقه فعال 0.3mm 0.5mm 1mm داریم.

س: مورد نیاز برای اتصال چیست؟

A: Box Optronics می تواند با توجه به نیاز شما سفارشی کند.

تگ های داغ: 500um TO CAN InGaAs Photodiodes APDs بهمنی، تولیدکنندگان، تامین کنندگان، عمده فروشی، کارخانه، سفارشی، عمده، چین، ساخت چین، ارزان، قیمت پایین، کیفیت

دسته بندی مرتبط

ارسال استعلام

لطفاً درخواست خود را در فرم زیر ارائه دهید. ما ظرف 24 ساعت به شما پاسخ خواهیم داد.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept