50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD
  • 50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD
  • 50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD
  • 50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD
  • 50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD

50um InGaAs فوتودیودهای بهمن APD

APDs فوتودیودهای بهمنی 50 میلی متری InGaAs بزرگترین APD InGaAs موجود تجاری با پاسخ دهی بالا و زمان خیز و سقوط بسیار سریع در طول موج 900 تا 1700 نانومتر است، حداکثر پاسخگویی در 1550 نانومتر به طور ایده آل برای کاربردهای فضایی ایمن و بدون چشم انداز مناسب است. OTDR و توموگرافی منسجم نوری. این تراشه در بسته بندی TO اصلاح شده به صورت هرمتیک مهر و موم شده است، گزینه pigtailed نیز موجود است.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

1. خلاصه ای از فتودیودهای بهمنی 50um InGaAs APD

APDs فوتودیودهای بهمنی 50 میلی متری InGaAs بزرگترین APD InGaAs موجود تجاری با پاسخ دهی بالا و زمان خیز و سقوط بسیار سریع در طول موج 900 تا 1700 نانومتر است، حداکثر پاسخگویی در 1550 نانومتر به طور ایده آل برای کاربردهای فضایی ایمن و بدون چشم انداز مناسب است. OTDR و توموگرافی انسجام نوری.
تراشه در بسته بندی TO اصلاح شده مهر و موم شده است، گزینه pigtailed نیز موجود است.

2. معرفی فتودیودهای بهمنی 50um InGaAs APDs

APDs فوتودیودهای بهمنی 50 میلی متری InGaAs بزرگترین APD InGaAs موجود تجاری با پاسخ دهی بالا و زمان خیز و سقوط بسیار سریع در طول موج 900 تا 1700 نانومتر است، حداکثر پاسخگویی در 1550 نانومتر به طور ایده آل برای کاربردهای فضایی ایمن و بدون چشم انداز مناسب است. OTDR و توموگرافی انسجام نوری.
تراشه در بسته بندی TO اصلاح شده مهر و موم شده است، گزینه pigtailed نیز موجود است.

3. ویژگی های 50um InGaAs فوتودیودهای APD بهمن

تشخیص محدوده 900nm-1700nm.

طیف گسترده ای پویا؛

مسئولیت بالا؛

جریان تاریک کم؛

بسته استاندارد TO-46.

4. استفاده از فتودیودهای بهمنی 50um InGaAs APDs

سنسور نوری؛

ارتباطات نوری فضای آزاد

5. حداکثر مطلق رتبه بندی 50um InGaAs فوتودیودهای APD بهمن

پارامتر سمبل شرایط. شرط حداقل حداکثر واحد
PD ولتاژ معکوس VR CW - 60 V
جریان رو به جلو اگر CW - 3 mA
دمای عملیاتی بالا دمای مورد -40 +85
دمای ذخیره سازی TSTG دمای محیط -40 +85
دمای لحیم کاری سرب/زمان Ts - - 260/10 ℃/S

5. ویژگی های الکترواپتیکی (T=25℃) فتودیودهای بهمنی 50 میلی متری InGaAs APD

پارامتر سمبل شرایط. شرط حداقل تایپ کنید حداکثر واحد
محدوده طول موج λ   900 - 1700 نانومتر
منطقه ی فعال φ - - 50 - ام
مسئوليت Re M=1،λ=1310 نانومتر 0.85 - - A/W
ضریب ضرب M VR=VBR-3، λ=1310nm،φe=1uW 10 - - -
جریان تاریک شناسه VR=VBR-3، φe=0 - - 10 nA
ولتاژ شکست معکوس VBR ID=10μA، φe=0 40 43 45 V
-3dBm پهنای باند BW M=10، RL=50Ω 2.0 - - گیگاهرتز
ظرفیت C M=10، φe=0 - - 0.5 pF

6. ترسیم بسته و تعریف PIN-OUT (واحد: میلی متر) 50 میلی متر InGaAs فوتودیودهای بهمنی APD

7. تحویل، حمل و نقل و ارائه 50 میلی متر InGaAs فتودیودهای بهمن APD

همه محصولات قبل از ارسال آزمایش شده اند.

همه محصولات دارای 1-3 سال گارانتی هستند.

ما از کسب و کار شما قدردانی می کنیم و یک خط مشی بازگشت فوری 7 روزه ارائه می دهیم. (7 روز پس از دریافت اقلام)؛

اگر اقلامی که از فروشگاه ما خریداری می کنید کیفیت کاملی ندارند، یعنی به صورت الکترونیکی مطابق با مشخصات سازنده کار نمی کنند، به سادگی آنها را برای تعویض یا بازپرداخت به ما بازگردانید.

اگر اقلام معیوب هستند، لطفا ظرف 3 روز پس از تحویل به ما اطلاع دهید.

هر کالایی باید در شرایط اولیه خود بازگردانده شود تا واجد شرایط بازپرداخت یا جایگزینی باشد.

مسئولیت کلیه هزینه های حمل و نقل به عهده خریدار می باشد.

8. سوالات متداول

س: چه منطقه فعالی را دوست دارید؟

A: ما فوتودیودهای بهمن منطقه فعال 0.3mm 0.5mm 1mm داریم.

س: مورد نیاز برای اتصال چیست؟

A: Box Optronics می تواند با توجه به نیاز شما سفارشی کند.

تگ های داغ: 50m InGaAs فوتودیودهای بهمنی APD، تولیدکنندگان، تامین کنندگان، عمده فروشی، کارخانه، سفارشی، عمده، چین، ساخت چین، ارزان، قیمت پایین، کیفیت

دسته بندی مرتبط

ارسال استعلام

لطفاً درخواست خود را در فرم زیر ارائه دهید. ما ظرف 24 ساعت به شما پاسخ خواهیم داد.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept