اولین لیزر پروسکایت در جهان ساخته شد.

تیمی از کالج علوم و مهندسی اپتوالکترونیک دانشگاه ژجیانگ و دانشگاه بین المللی هاینینگ اخیرا یافته های تحقیقاتی خود را در مورد اولین لیزر پروسکایت در جهان در مجله بین المللی Nature منتشر کرده اند. این دستگاه که از ساختار ریزحفره نوری دوگانه بهره می‌برد، مصرف انرژی کم را با قابلیت تنظیم آسان ترکیب می‌کند و آن را برای کاربردهایی مانند انتقال داده‌های نوری و به عنوان یک دیود ساطع کننده نور در تراشه‌های فوتونیک یکپارچه و دستگاه‌های پوشیدنی مناسب می‌سازد.

لیزرهای نیمه هادیمنابع نوری مهم در محاسبات هستند. نیمه هادی های پروسکایت کلاس جدیدی از مواد لیزری با هزینه های عملیاتی کم و ادغام آسان در پلت فرم های اپتوالکترونیک مبتنی بر سیلیکون هستند. طیف‌های انتشار قابل تنظیم آن‌ها، لیزرهای نوری را قادر می‌سازد تا به پایین‌ترین آستانه لیزر ممکن برسند، و فرصت‌های فناوری قابل توجهی را باز می‌کنند. انرژی خارجی مورد نیاز برای هدایت لیزر معمولا به دو صورت تامین می شود: انرژی الکتریکی و انرژی نوری. با این حال، کنترل نوری معمولاً به منابع نور خارجی با کیفیت بالا نیاز دارد که تعداد دستگاه‌های قابل دوام را محدود می‌کند. توسعه لیزرهای پروسکایت الکتریکی یک چالش اساسی در اپتوالکترونیک پروسکایت است.

بر اساس گزارش‌ها، این دستگاه به طور موثر تعداد زیادی فوتون تولید شده توسط یک LED پروسکایتی ریزحفره‌ای تحریک‌شده الکتریکی را در یک ریزحفره دوم جفت می‌کند. در آنجا، آنها توسط یک محیط افزایش پروسکایت تک کریستالی برانگیخته می شوند و لیزر با راندمان جفت شدن تا 82.7٪ تولید می کنند. جریان شروع مورد نیاز برای راه اندازی این لیزر نیمه هادی جدید 92 آمپر بر سانتی متر مربع است که مرتبه بزرگی بالاتر از بهترین لیزرهای آلی هدایت الکتریکی است و پایداری عالی را نشان می دهد.